[標的] ASML 中國的EUV可能是真的

good123456 發表於 2025/3/9 上午9:36:02

看板Stock標題[標的] ASML 中國的EUV可能是真的作者

good123456

(網軍吃屎)時間Mar 9 09:36:02 2025推噓爆推:212 噓:36 →:324

PTT評價

根據X上的小道消息指採用LDP技術的EUV最近在華為東莞工廠預計2025 Q3進行測試，並預期2026進行量產計畫：

https://reurl.cc/96gRyv

有趣的是這則貼文被現任台積電&IBM Research轉發

https://reurl.cc/EgO1ag

https://reurl.cc/qnM033

不相信這個藍勾勾是真人？，第二則貼文同時被網路企業家jude gomila分享，「如果為真我們來矽谷聊聊天吧」：

https://reurl.cc/04YZlo

還是不知道Jude Gomila是誰？他有被Sam Altman追蹤

目前這台EUV採用的是LDP技術，與ASML的LPP技術不一樣，LPP製造成本&技術門檻更高，LDP因為工程創新技術門檻沒有那麼高，所以能夠繞開歐美封鎖

尋問Grok 3

Q1.LDP跟LPP差別在哪？

LDP（Laser-induced Discharge Plasma，雷射誘導放電等離子體）和LPP（Laser-Produced Plasma，雷射產生等離子體）是兩種用於生成EUV（極紫外光，波長13.5奈米）的光源技術，主要應用於先進半導體光刻機（如ASML的EUV設備或中國自主研發的系統）。它們的核心差異在於等離子體的產生方式、設備設計和技術特性。以下是詳細對比：

1. 工作原理：

LPP（雷射產生等離子體）

機制：LPP使用高功率雷射（如二氧化碳雷射，功率通常達數十千瓦）直接轟擊熔融錫滴（Sn）。雷射能量將錫滴汽化並激發成高溫等離子體，該等離子體在冷卻過程中釋放13.5奈米的EUV光。

過程：雷射脈衝擊中錫滴，瞬間產生高密度等離子體，然後通過多層反射鏡（MLM）收集和聚焦EUV光。

代表應用：ASML的EUV光刻機（如NXE:3400系列）採用LPP技術，搭配Cymer的雷射系統。

LDP（雷射誘導放電等離子體）

機制：LDP先用低功率雷射（通常為奈秒級脈衝雷射）將錫或其他材料汽化，形成一團低密度雲狀物質。隨後，在兩極間施加高電壓（放電），使這團雲轉化為等離子體並釋放EUV光。

過程：雷射僅負責初始汽化，放電才是主要的等離子體激發來源，EUV光同樣由反射鏡收集。

代表應用：中國自主研發的EUV光刻機（如哈爾濱工業大學與相關企業合作項目）採用LDP技術。

https://i.imgur.com/mGiqPeE.jpeg

3. 主要差別：

雷射依賴程度

LPP完全依賴高功率雷射，雷射系統的成本和技術難度極高（例如ASML的雷射由Cymer供應，屬於西方技術壟斷領域）。

LDP降低對雷射功率的需求，通過放電補充能量，試圖繞過高功率雷射的技術瓶頸，這對中國等受限於技術封鎖的國家具有戰略意義。

能量效率與成本

LPP的能量轉換效率因雷射直接激發而受限，且高功率雷射的運營成本高昂。

LDP理論上因結合放電機制可提升效率，並減少對昂貴雷射設備的依賴，設備製造和維護成本可能更低。

光源功率與應用成熟度

LPP已實現250W以上的穩定光源功率，滿足7奈米以下製程的量產需求（如台積電、三星使用）。

LDP的光源功率目前偏低（試驗階段約50-100W），距離量產要求（至少250W）還有差距，穩定性也需進一步驗證。

技術發展階段

LPP是當前業界標準，經過20餘年的優化，已廣泛應用於商業生產。

LDP屬於新興技術，仍在實驗與試產階段，中國的研發目標是突破封鎖並實現自主可控。

4. 實際影響與應用：

LPP的優勢

LPP技術成熟，ASML的EUV光刻機已成為全球半導體產業的支柱，支持3奈米甚至2奈米製程。但其核心組件（如雷射與光學系統）被西方壟斷，中國難以獲取。

LDP的潛力

LDP是中國在EUV領域的替代路徑，旨在降低對進口技術的依賴。若成功量產，可支持5奈米或3奈米製程，並為中國半導體產業提供自主光刻解決方案。但目前其光源功率和穩定性不足，短期內難以匹敵LPP的商業應用。

總結

LPP：高功率雷射驅動，技術成熟、光源穩定，適合當前先進製程，但成本高且技術門檻高。

LDP：雷射＋放電結合，成本較低、自主性強，但功率和穩定性尚待突破，屬於發展中技術。

Q2.假設LDP技術2025 Q3試產成功，2026順利量產，那麼是否意味著中國可能在EUV突破歐美封鎖？

是的，若LDP（雷射誘導放電等離子體）技術在2025年第三季度（Q3）試產成功，並於2026年順利量產，這確實意味著中國在EUV（極紫外光）光刻技術上有望突破歐美技術封鎖，但具體能否完全實現自主可控並改變半導體產業格局，還需考慮幾個關鍵條件和限制。以下是詳細分析：

1. 突破封鎖的意義：

技術自主性

EUV光刻機是先進製程（如7奈米以下）的核心設備，目前由荷蘭ASML壟斷，而ASML的EUV系統依賴美國（Cymer雷射）、德國（蔡司光學）等技術供應鏈，受《瓦聖納協定》和美國出口管制影響，中國無法直接採購。若LDP技術量產成功，中國將擁有自主EUV光刻機，打破對ASML的依賴。

時間表可能性

2025年Q3試產成功意味著光源功率（預計需達100-150W）、穩定性及初步系統整合已通過驗證。

2026年量產則需光源功率提升至250W（業界標準），並完成光學系統（多層反射鏡）、光罩、感光材料等全產業鏈的配套。這一進度在中國集中資源和政策推動下（如「中國製造2025」）是可行的，但屬於樂觀預測。

戰略影響

若實現量產，中國將成為繼荷蘭之後第二個掌握EUV光刻技術的國家。這不僅能滿足國內需求（如SMIC、華為HiSilicon的晶圓製造），還可能改變全球半導體供應鏈的競爭格局。

2. 技術層面的突破可能性：

光源功率

LDP目前的試驗功率約50-100W，距離量產所需的250W仍有差距。若2025年Q3試產成功，意味著功率提升和穩定性問題已初步解決；2026年量產則需進一步驗證長期運行能力。中國如能借鑒LPP的經驗並加速迭代，這一目標並非不可達成。

產業鏈配套

EUV光刻機不僅需要光源，還涉及：

光學系統：多層反射鏡需奈米級精度，中國已有企業（如長春光機所）在攻關，但與蔡司的技術差距仍存。

光罩與感光材料：目前依賴日本（如TOPPAN）和美國供應，中國需加速國產化。

系統整合：ASML花費數十年優化EUV系統，中國需在短時間內完成類似工程，這是挑戰所在。
若這些環節在2026年前同步突破，LDP量產才能真正轉化為實際產能。

製程能力

假設LDP量產初期達到5奈米製程（類似ASML早期EUV機型），這足以滿足中國當前需求（如華為的麒麟晶片）。隨著技術迭代，3奈米甚至2奈米可能在2030年前實現，這將大幅縮小與台積電、三星的差距。

3. 實際影響與限制：

突破封鎖的程度

若LDP EUV光刻機量產，中國確實能在技術層面突破歐美封鎖，實現自主生產先進晶片。但「完全突破」還需考慮：

產能規模：初期產能可能有限，難以滿足全國晶圓廠需求。

市場競爭：ASML的EUV機型已成熟至2奈米製程，LDP初期可能僅達5奈米，商業競爭力尚待提升。

國際反制：美國可能進一步限制上游材料（如光阻劑）或設備零件出口，影響LDP的產業鏈完整性。

地緣政治意義

LDP量產將削弱美國對中國半導體產業的遏制能力，尤其在軍事、通訊和高性能計算領域。這可能促使歐美加快技術升級或加大封鎖力度，形成新一輪博弈。

4. 結論：可能但有限的突破：

假設LDP技術按計劃在2025年Q3試產成功、2026年量產，這確實標誌著中國在EUV領域取得重大突破，能在一定程度上擺脫歐美封鎖，實現5奈米甚至更先進製程的自主生產。這將滿足國內部分需求，並為長期技術追趕奠定基礎。然而：

短期內（2026-2028年）：LDP可能僅實現有限量產，產能和製程精度難以匹敵ASML，無法完全替代進口技術。

長期看（2030年後）：若中國完善產業鏈並提升LDP至3奈米或2奈米，才算真正打破封鎖，成為全球半導體強國。

再回去A看看1/18股版貼的那篇中國哈爾濱大學EUV突破的新聞，下面一面倒的喊假消息，結果沒想到這可能是真的，只能說很多事不要先入為主，在市場無風不起浪