PTT評價

[課業] 電子學 問題請教

看板Examination標題[課業] 電子學 問題請教作者
ca44512
(ca44512)
時間推噓 4 推:4 噓:0 →:14

請教兩題電子學

108電子技師第三題
https://i.imgur.com/JMvWNB4.jpg

https://i.imgur.com/PsIPQiT.jpg
我想問為什麼解答上的Vsig=Vgs ?
我自己寫的Vgs電壓是在1/gm 上的分壓
另外解答的RoA是不是少算RL了?

104電子技師第五題 第2小題
https://i.imgur.com/ArzibnZ.jpg

https://i.imgur.com/amsuuEm.jpg
為什麼MD2與MD3為歐姆區?

https://i.imgur.com/8owvOoI.jpg

我自己分析的結果ML2為空乏型NMOS,通道永遠都在,那Vo2的電容一定充到滿5V,
MD2與MD3分析結果為飽和區。

以上兩題,請教一下各位
先謝謝各位了。


--

※ PTT 留言評論
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.250.44.144 (臺灣)
PTT 網址

falsebliss03/12 14:56我覺得,vgs=vsig是因為負回授電路已經拆開了,你可以

falsebliss03/12 14:56比較一下小訊號電路第一張圖與第二張圖的差別。

liushengzhe03/19 12:421.如果解答的A電路你承認是正確的,那麼因為A電路的

liushengzhe03/19 12:42輸入是開路,Rs沒有電流,因此vsig=vgs。至於你怎麼

liushengzhe03/19 12:42解?你沒秀出來,就無法說明差異。

liushengzhe03/19 12:422.請注意題題圖Rof的位置,不就已經告訴你Rof不含RL

liushengzhe03/19 12:42

liushengzhe03/19 12:423.並非空乏型晶體永遠導通,vo2就一定得是5V,在邏

liushengzhe03/19 12:42輯電路中,你指的空乏NMOS是稱為pull up的元件,其

liushengzhe03/19 12:42作用只等同一根(弱)電阻,當底下跟它連接的MOS全都o

liushengzhe03/19 12:42ff時,vo2就藉由空乏NMOS 弱弱的pull up到5 V,但是

liushengzhe03/19 12:42當它底下的MOS有任一個導通,而且設計的寬長比使其

liushengzhe03/19 12:42導通能力還比空乏NMOS還強很多,那麼vo2就會被扯到

liushengzhe03/19 12:42地。

falsebliss03/20 09:23關於Roa部分,我覺得應該要加上RL, Roa經過(1+AB)修

falsebliss03/20 09:23正後,再扣除掉並聯的RL,請問這樣觀念有錯嗎?

liushengzhe03/20 10:27喔!抱歉我眼殘,誤認樓主問的是Rof!若是問Roa,則

liushengzhe03/20 10:27f大大您說的才是正確的!