Re: [新聞] 「我不是台積電叛將」 梁孟松淚揭內幕
當初天下雜誌就有報導了
擷取一些內容如下
是不是叛將大家自行判斷了
https://www.cw.com.tw/article/5063951?template=transformers
張忠謀在去年法說會上,坦承16奈米技術被三星超前
從半導體到面板業、IC設計業,都出現足以「動搖國本」的叛將。 梁孟松的故事,給國家、企業、個人什麼警訊?
張忠謀準備十多年的FinFET技術(鰭式場效電晶體),這個可大幅省電的革命性技術,將在今年下半年量產,用在最新的十六奈米製程。
然而,三星卻已在2014年12月初,開始量產同樣技術的晶片,領先台積電至少半年。
這是台積電近10多年以來,首度在邏輯製程技術落後亞洲同業。也因此可能痛失蘋果下一代處理器(A9)訂單。
《天下雜誌》獨家取得台積電控告梁孟松損害營業祕密的二審判決書,從中發現,梁孟松對三星的「貢獻」之大,以及對台積電傷害之大,遠超過之前外界所知。
震撼│失去八成蘋果訂單
台積電指控2009年離職的梁孟松,從該年8月到三星集團旗下的成均館大學任教以來,「應已陸續洩漏台積電公司之營業祕密予三星。」
另外,三星二八奈米製程P型電晶體電極的矽鍺化合物,更類似台積電的菱形結構特徵,與IBM的圓盤U型「完全不同」。
這幾項如指紋般獨特且難以模仿的技術特徵,讓台積電認定,「梁孟松應已洩漏台積電公司之營業祕密予三星公司使用。」
而且,今年雙方量產的十六、十四奈米FinFET產品將更為相似,「單純從結構分析可能分不出係來自三星公司或來自台積電公司,」這份報告指出。
這幾段文字,看在半導體業人士眼裡都是觸目驚心。這意味著,台積電累積20多年、以數千億台幣研發經費打造的技術優勢,已在一夕之間被抹平了。
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梁應該覺得都是自己的研發功勞 不是公司資
產 所以不算偷 也不算背叛
法官不就判他有罪 這沒啥爭議
如果是公司專利or研發棄案還能算是營業
秘密 但如果是後續研究or提點 那很難說
是公司資產吧
光頭殺人如麻不覺得怎樣,因為他自
認是民族救星
樓上說得一點都沒錯 很多政治人物都是這樣
光頭殺人如麻但建設台灣 反觀DPP毀台還
殺人如麻
以為KMT獨裁下台比較好 結果來了DPP土霸王
法院是根據他跟台積電簽的競業條款,
不准他離職幾年內去對手公司上班,跟
有罪的概念差很多
另外,要是能用偷取公司資料、機密告
他早就告了
殺人如麻?有比擋疫苗殺的多嗎
有比反核電價物價翻倍殺的多嗎
蔣光頭跟dpp比起來,簡直可以稱為聖人
真是人才,當初何必逼走?
沒有賠償問題. 法院只是禁止他前往三星
任職, 禁止他透漏台積秘密與人員名單.
也沒有罪(刑罰).因為是競業禁止問題.
是用營業秘密啦,競業禁止梁是無罪的。
一堆人搞錯,法院另外用營業秘密辦根本惡質
他只是在競業年限內到三星教書而已。
他也沒洩露公司營業資料,為什麼用營業秘密
梁:我沒有違反競業條款,我都在教書。
成均館也不是判他的理由,用的是營業秘密
梁:學生太聰明,一教就會,關我什麼事
再說一遍,有罪的是營業秘密,不是競業禁止
梁:這就是鰭式晶片的重點,學會了沒。
梁:我就只是教書,又不是在三星上班。
2
我有點好奇的是 所謂叛將叛將 指的是什麼? 如果是技術機密的部分 自然有競業條款去保護 那在競業之外的東西 何來"叛"之有? 舉例吧 我老家附近鄉下 有一堆農夫 都是種地瓜的24
梁孟松真的蠻與眾不同@@ 梁孟松透露當時的心情:「高層要我離開研發總部外放歐洲,這件事我不能接受,我感到 被欺騙、被侮辱,對台積電貢獻很多,這件事,我沒面子。」 一般上班族如果能外放歐美先進國家,然後工作loading減輕~ 應該爽到想跟朋友炫耀!9
就只是鬥輸 09年時公司就開始著眼後摩爾時代的先進封裝技術(也就是現在的CoWoS) 梁表示不喜歡這個路線資源變少就離開了 不過台積也很屌,曾經研發六巨頭的梁孟松、蔣尚義、楊光磊都鬥輸後跑去中芯 --
42
Re: [新聞] 獨家〉震撼!台積電研發老將蔣尚義 今其實蔣尚義還好 梁孟松才是 keyman 當年差點把台積電競爭優勢弄殘 當年三星卡在 28nm 製程 落後台積電 梁過去之後沒多久三星噴出 14nm 台積電晚半年才出了個 16nm6
Re: [新聞] 台積電穩了!死敵3奈米良率慘況曝光 難幫補一篇舊聞 2022/01 三星拚2奈米2025超車台積 業界卻爆這弱點 先進製程目前僅剩下台積電、英特爾以及三星電子競爭,三星更搶先在2022年上半年量產 3奈米製程GAA技術,台積電則是延用FinFET架構、在今年下半年量產3奈米製程,但業界5
[情報] 台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet 技術,與英特爾/三星競爭 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 06 月 09 日 11:00 | 分類 IC 設計 , 晶片 外媒《Extremetech》報導,晶圓製造的 FinFET 電晶體技術是自 2011 年以來開始使用,但隨著節點不斷縮小,FinFET 電晶體技術將被別的技術取代。台積電更新技術藍圖指出,準備好生產 2 奈米時,就會轉向奈米片 (Nanosheet) 晶體管技術,英特爾和三星也宣布類似計畫。 《EEtimes》報告討論台積電未來計畫,今年底開始 3 奈米量產,確認 3 奈米製程不會採用奈米片技術。奈米片是種環繞柵極 (GAA) 晶體管,有浮動晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布 RibbonFET 計畫,技術就類似奈米片。台積電預計 2 奈米奈米片量產 2025 年開始,但英特爾藍圖是 RibbonFET 於 2024 年第三季亮相。三星已在 3 奈米製程轉向奈米線 (Nanowire) 製程,並宣布上半年量產。 比較台積電和英特爾量產時程,據經驗「量產」定義略有不同。英特爾產品上零售市場前,較短時間就宣布量產。台積電是向客戶銷售產品,客戶自行整合,因此台積電宣布量產到商用化產品出現需較長時間。
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