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Re: [心得] 透過GaN+誘騙線(頭) 取代 DC變壓器、線電 的方案

看板Headphone標題Re: [心得] 透過GaN+誘騙線(頭) 取代 DC變壓器、線電 的方案作者
tienam
(Shit happens)
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抄一段來自台達電的介紹文章

氮化鎵 GaN 是什麼?
氮化鎵(GaN)是一種堅硬且非常穩定的第三代半導體材料,
可以在高溫和高電壓下,進行長時間的運作。
另外,以氮化鎵(GaN)製成的晶片特色之一就是
閥極切換速度快、效率高,是現在市面充電器常用的元件。
但除了氮化鎵之外,充電器產品內部使用的各種IC、
零件和電路設計,之間互相的配合,才能真正造就小體積、
高效率的充電器。

氮化鎵 GaN 有哪些特色?
雖然氮化鎵(GaN)元件的特色在於速度快、效率高,
但工作頻率高也意味著氮化鎵(GaN)有著高輻射的特性。
由於應用在消費性產品,必須顧及使用者安全,
因此在導入消費性產品時,
產品印刷電路板布局必須充分減少電源和驅動迴路內的總電感,
以達到對元件切換性能的最佳控制,
並且需要在產品效率註一與安全規範間取得平衡。

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我手邊二款小米GaN充電器(65w與67w),
用紫米USB-C連接線(有e-marker),
插上筆電外接的USB-C Hub,
替筆電供電(筆電原廠變壓器拔除),
此時開啟主動式喇叭(訊源關閉),
讓筆電跑FurMark GPU stress test,
你就會聽到GaN充電器在負載升高的情況下(20V 2.xA),
放送輻射雜訊, 被主動式喇叭放大, 發出嘰~~的噪音,
GPU stress test關閉, 噪音立刻降低,
但改跑CPU burner, 噪音就維持原樣, 不會變大.
不管怎樣, 當你使用GaN充電器替器材供電時,
充電器最好遠離你的主動式喇叭或者訊號線,
免得好處沒得到多少, 雜訊倒是吃了不少.


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※ 編輯: tienam (120.114.249.31 臺灣), 04/23/2024 00:48:14

yys31004/23 01:21原來這樣沒有EMI問題XD