[情報] 3D NAND原廠垂直單元效率對比，哪家儲存
3D NAND原廠垂直單元效率對比，哪家儲存效率更高？
https://www.icsmart.cn/78902/
近日市場研究機構Techinsights對於三星、SK海力士/Solidigm、美光、KIOXIA/WD、YMTC的200層以上的3D NAND Flash進行了對比分析，發現三星的垂直單元效率 (VCE，
vertical cell efficiency) 是最高的。
傳統的NAND快閃記憶體單元採用平面電晶體結構，包括控制柵極（Control Gate）和浮動柵極（Float Gate）。通過向單元施加電壓，電子在浮動柵極中儲存和移除。
https://i.imgur.com/sCaegjK.jpg
多年來，供應商將平面 NAND 的單元尺寸從 120nm 縮小到 1xnm 節點，使容量增加了
100 倍。然而，當單元尺寸達到了 14nm 的極限，這意味著該技術不再可擴展，由此
NAND原廠紛紛轉向3D NAND，以實現超過 2D NAND 結構的資料密度，並能夠在更新一代的技術節點上製造。
具體來說，平面 NAND 由帶有儲存單元的水平串組成。而在 3D NAND 中，儲存單元串被拉伸、摺疊並以“U 形”結構垂直豎立。實際上，這些單元以垂直方式堆疊以縮放密度。
因此，3D NAND儲存單元有多個層級。
https://i.imgur.com/SPBso7E.jpg
3D NAND的層數描述了堆疊在一起的字線（Word Line）數量。在這些字線層上切出一個垂直柱，柱子與每條字線的交點代表一個物理單元。也就是說，每個 3D NAND 儲存單元都類似於一個微小的圓柱形結構。每個微小單元由中間的垂直通道和結構內部的電荷層組成，通過施加電壓，電子可以進出絕緣電荷儲存膜，然後讀取訊號。
平面 NAND 在每個節點上都減小了單元尺寸，而 3D NAND 則採用了更寬鬆的工藝，大約在 30nm 到 50nm 之間。3D NAND 記憶體容量的擴展主要是通過新增垂直層來實現的，在這種3D NAND結構中，單元密度會隨著堆疊中層數的增加而增加。然後，每隔一到兩年，供應商就會從一代技術遷移到下一代技術。
根據研究資料顯示，供應商平均每代 3D NAND 都會增加 30% 至 50% 的層數。而每一代新的晶片將會增加 10% 至 15% 的晶圓成本。這也使得NAND 的每bit成本能夠平均以每年約20%幅度降低。
現在，超過200層的TLC NAND 產品已經逐漸成為主流，比如三星236層NAND 、SK 海力士 238層NAND、美光 232層NAND 、YMTC 232層NAND。此外還有一些接近200層的廠商，比如鎧俠（KIOXIA）和西部資料的 112層/162層NAND 和 Solidigm 的 144層/ 192層 (FG)
NAND。
https://i.imgur.com/OpFdFIK.jpg
H25T3TDG8C-X682) 中提取了 SK 海力士 238L 512 Gb 3D NAND 晶片，該晶片尺寸為
34.56mm2 ，位密度為 14.81 Gb/mm2 。
談到 3D NAND 單元效率，垂直單元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 對於 NAND單元工藝、設計、整合和裝置操作而言非常重要。
隨著堆疊的總柵極數量的增加，單元 VC（vertical cell）孔高度也會增加。為了降低
VC 高度和縱橫比，其中一種方法是通過減少虛擬柵極（dummy gates）、通過柵極（
passing gates）和選擇柵極（select gates）的數量來提高垂直單元效率。垂直單元效率可以用總柵極中active cell 的百分比來定義，也就是用active WL （Word Line）除以整合的總柵極數來計算。垂直單元效率越高，工藝整合度越高，縱橫比越低，整體效率越高。
https://i.imgur.com/z7w5Suh.jpg
VCE可定義為活躍單元佔總柵極的比例，即Active WL 數量除以總整合柵極數量×100%。
例如，一個NAND串由Active WL、通道WL（含dummy WL）和選擇器（源極/漏極）組成。若其包含96個Active WL和總計115個柵極，則VCE為83.5%，計算方法為96/115×100%。VCE
越高，對工藝整合越有利，能實現更低的縱橫比和更高的生產效率。
Techinsights發現，在多代 3D NAND 產品中，三星始終以最高的垂直單元效率領跑行業。他們最新的多層V-NAND 在前幾代以高效著稱的基礎上，擁有令人印象深刻的垂直單元效率。美光和YMTC也在其產品中展示了強勁的垂直單元效率資料，這反映出它們在減少虛擬柵極、通過柵極和選擇柵極數量方面取得了顯著進步，從而最佳化了垂直單元效率。
https://i.imgur.com/hyM6iWx.jpg
總結來看，三星每一代產品的VCE都是最高的，比如採用單層結構的128層是94.1%，176層COP V-NAND是92.1%，236層2nd COP V-NAND是94.8% 。YMTC的232層Xtacking 3.0的VCE是91.7%，美光232層是91%。KIOXIA 162層的VCE稍低一些，為88%。SK海力士238層共有259個門，VCE為91.9%，仍然低於三星的236L。
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看來3D NAND還是三星第一
3D NAND 200層以上的垂直單元效率三星94.8%第一斷層式領先
其他都是91%左右 KIOXIA(最高只有162層)最爛只有88%
三星今年4月時宣布量產第九代V-NAND 290層
計畫明年下半年推出第十代V-NAND 430層
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還以為是海力士
***以前是王者，但是後來太容易出問題了
就令人卻步
開快車 也容易撞車
中國遙遙領先
也是這幾年最常翻車的
三星NAND還算穩，DRAM就輸慘了
0E冷筍，我還是買日本貨、美光光、
閃屌產品好些。
看不懂 所以要買三星哪個型號XD
三星236層目前只有990 PRO 4TB
冷筍效率也遙遙領先
遙遙領先
三星會0E跟冷筍還想買?
SSD一樣垃圾，冷筍牌就PASS
買新聞，出貨文，炒股文
冷筍我pass給你買
0E留著自己慢慢買
技術多難無所謂，我只要穩定
YMTC這樣強
層數跟效率都是世界一流了，韓國危險
當然是長江
現在905p 1.5T新蛋299.99誰要看三星?
真實良率到底多少 這麼多人壞掉出現0E
這東西沒有負面影響喔 我以為會比較熱之類的
或者良率比較低(比較不耐電)之類的？
有屁用，還不是冷筍
原本以為對岸顆粒崛起能殺個血流成河逢
長江NAND的市占率很低的屬於Others 根本影響不了價格
https://i.imgur.com/wyRNGfL.jpg
留給有緣人
低買進，結果還不是跟其他大廠一起賣那
死豬價…
SSD之前價格不是殺爛嗎
一堆人在喊沒m.2插槽了
原來美光NAND才10%上下 鎧俠都比他高
除非它不會0E才有用
三星v6 一堆問題
先推才不會被發現我看不懂
Intel會說它最強,可是事實上...
到目前為止NAND確實就還無法跨過3D Xpoint
的障礙，如果不是3D Xpoint強那就是NAND太
廢，看哪種說法你聽起來比較順耳...
美光表現比想像中還差
美光那產品線亂搞 不意外
這篇掉了一堆術語 結論又推高嘲諷的三星
難怪被說出貨文KOL（key opinion liar)
冷筍這幾年 nand不太穩定的樣子
爽爽爽鍊子掉太大了啦
@Lemming 荷包空空，看到狂降真的可惜
@balius I皇走太前面了，結果兩家NAND
鎧俠XL-Flash和三爽ZET後面都沒太多消息
3d xpoint太貴啦，這市場就是劣幣驅逐良
幣
0E
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