[情報] 三星發表:以 VTFET 設計實現 1nm 製程
IBM 和 Samsung 新的電晶體技術可以突破 1nm 以下晶片
IBM 和 Samsung 在美國舊金山舉行的 IEDM 國際電子元件會議上,共同發表名為
Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)的新晶片設計,是把電晶體以垂直方式推疊,電流也會以垂直的方式通過,與今天通常是以水平方式擺放的不一樣。但為什麼要這樣設計呢?據指有兩個主要好處,一是個這能突破「摩爾定律」對於 1nm 晶片設計的的瓶頸,而更重要的是提升電流並可以減少能源的消耗。
據計算,VTFET 在與 FinFET 電晶體設計相比,能把處理器速度提升兩倍,但同時能耗就減少了 85%。以實用性來說,手機的續航力會最終延長至充一次、使用一週!甚至如果用於挖礦 cryptomining 的用途,就能大大減少區塊鍊、加密貨幣等技術對環境的影響。
不過這次 IBM 和 Samsung 並沒有透露什麼時候會以商用產品上應用 VTFET,只是市場上才不只有他們擁有突破 1nm 的技術,因為 Intel 在 7 月的時候就表示已經完成設計,同時更目標在 2024 年就開始推出「埃」時代的晶片。
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哇,那什麼時候良率不會烙賽呢
理論跟出實驗室是兩回事
IBM的技術欸 穩了
讓挖礦更節能 XDDD
藍色巨人? SONY表示: UMC表示:
充一次用一週 哈哈
手機最耗電的是螢幕吧
理論交給IBM 量產交給三星
一次唬爛到位 0.1nm不是比較快?
youtuber 曲博 有專門講一集
結論 : 十年前就有的東西
垂直的gaafet
三星製程不錯 只是跟肌肉車一樣多
吃一點電
量產出來再叫我(挖鼻
所以我說能量產嗎?
Gg嚇到gg發抖
我覺得烙賽的不只良率
會量產嗎?
實驗室做得出來不代表工廠能量產啊
大力出奇跡
核融合先商轉跟垂直電晶體量產,誰
先成功?
ptt之神
p
喔
使用一週? 聽記者在屁 螢幕不用吃
電?
好的,讓我們繼續關注天璣9000
那,甚麼時候不會漏尿呢
PPT做得不錯
漏尿製程 -.-
相信GG Sieg G翁!Sieg G翁!Sieg G翁
然後良率掉多少XD
笑死 漏電多少不敢講
GG嚇到再買幾桶爆米花回來吃
ibm的,穩了
所以良率多少?
IBM穩了,合法的專利蟑螂
一個完成設計,一個寫完PPT
製造不出來、良率一蹋糊塗
跟政客一樣,畫餅。完成時間都訂在
下一任
成功是我的,失敗是下一任的
TFET 哈哈哈哈哈
IBM SOI製程那時候好像也不好吧
理論上 TFET功耗低 SS低 但是Ion也
很低啊 而且量產是一大問題
三星跟IBM的結合體,用的人八字要
夠硬阿
沒有二代euv就沒有3奈米finfet
三星真的很會
一下子gaa 一下子vxx
就跟電池科技一樣 每年都一堆突破
性研發 至今走入商業的一個也沒
廠商會把電池做小做薄 一樣一天一沖
所以說那個熱量呢
垂直版的GAA
做得出來天網就要上線開始屠殺了..
.
問題在檢測,GAA用現行的多重電子束
就很難檢測瑕疵,垂直的一定更難,
給封測造成麻煩
三星藍色巨人,你各位不要太囂張
他只是改成水平的 沒什麼特別的
VTFET那麼厲害直接拿到5nm做就好啦
看看就好,同樣是4nm工藝GG的天璣90
00打爆三星的8G1,還能對三星工藝有
什麼期待呢?
GG看到這組合 心裡os應該是覺得穩了
放著給他自爆就夠了
***的4nm就7nm改的 想毀天滅地?
說個笑話,CELL (IBM的東西看看就好
看看就好,真的實用化再說)
***把升級點數都點吹牛的 看看就好
IBM點數點在實驗室做得出卻無法量產
三星點在吹製程做得出量產卻沒良率
兩個天作之合
哈哈南朝鮮
5做不好要做1 聽起來就很幹話
語畢,哄堂大笑
這不就老東西了...不管三星或台積
能穩定良率量產出來的東西才是真
只剩下話大餅的功力了
水喔,能量產再來說好嗎
IBM每一代都最早拿實驗室成果出來吹
因為它不用負責量產 用成果來圈錢
永遠有凱子夥伴付錢讓他研發
事後品質良率拉不起來 IBM不管
笑死 就是gaa水平換成垂直的概念而
已