Re: [新聞] 三星電子公佈引領AI時代半導體技術路線圖

這篇新聞藏了一個重點

三星HBM通過測試了
終於啊老黃殷殷期盼著

什麼兩奈米的嘴砲話就別看了

三星只要通過記憶體測試他就能跟SK平起平坐
甚至以三星的量產能力

下半年會給予非常大的營收
我相信今天三星就是漲這個

台股中跟三星記憶體最有關係的就是大中華三星通路商 擎亞

他也橫盤整理一段時間了
今天尾盤硬拉到平盤
昨天也是十二點過後硬拉一塊多

明天掛漲停不知道買不買得到

※ 引述《madeinheaven ()》之銘言：
: 原文標題：
: 三星電子公佈引領AI時代半導體技術路線圖
: 原文連結：
: https://cn.yna.co.kr/view/ACK20240613002100881
: 發布時間：
: 2024年 06月 13日 15:03
: 記者署名：
: 劉羽安
: 原文內容：
: 韓聯社聖何塞6月12日電 三星電子2027年將引入尖端晶圓代工技術，推出兩種新工藝節點: ，加強跨越人工智慧（AI）晶片研發、代工生產、組裝全流程的AI晶片生產“一站式”服: 務。
: 三星電子12日在美國矽谷舉行“2024年三星代工論壇”，公佈了涵蓋上述內容的半導體技: 術戰略。三星電子正通過封裝晶圓代工非記憶體半導體和高頻寬記憶體（HBM）的整合AI: 解決方案致力於研製高性能、低能耗的AI晶片產品。據此，與現有工藝相比，從研發到生: 產的耗時可縮減約20%。
: 值得關注的是，三星電子計畫引進尖端晶圓代工技術進一步強化AI晶片生產水平。具體來: 看，三星2027年將在2奈米工藝中採用背面供電網路（BSPDN）技術（製程節點SF2Z）。該: 技術可將晶片的供電網路轉移至晶圓背面，與訊號電路分離，從而簡化供電路徑，降低供: 電電路對互聯訊號電路的干擾。若在2奈米工藝中採用該技術，不僅能提高功率、性能和: 面積等參數，還可以顯著減少電壓降，從而提升高性能計算設計性能。目前尚無實現商業: 化的先例。
: 另外，三星電子2027年還計畫把低能耗且具有高速資料處理性能的光學元件技術運用於AI: 解決方案。2025年，三星電子將在4奈米工藝中採用“光學收縮”技術（製程節點SF4U）: 進行量產，使晶片更小，性能更佳。
: 三星電子方面表示，AI時代最重要的就是高性能、低能耗晶片，將通過和AI晶片適配度最: 高的環繞式柵極工藝（GAA）、光學元件等技術為客戶提供AI時代必要的“一站式”解決: 方案。（完）
: 心得/評論：
: 三星今天在三星代工論壇公布最新的技術路線圖
: 還有AI一站式解決方案
: https://i.imgur.com/hybDTa8.jpg

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