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Re: [問卦] 對面的光刻機技術真的要突破了嗎?

看板Gossiping標題Re: [問卦] 對面的光刻機技術真的要突破了嗎?作者
Kyind
(艾米恩)
時間推噓 4 推:4 噓:0 →:21

如果沒有相關知識只看人家發的稿就會這樣

有唸過一點光學的都很容易明白這個就是亂唬爛

第一
雷射功率
光的強度取決粒子多寡,精確到3nm意義不只是光徑縮小到3nm,也要有足夠的功率去刻晶片。

第二
精確度
雷射打的位置是否偏移,穩定度等,這都是需要極其精密的設計與零件品質。
這方面中國……

第三
光散射
讀過基本光學都知道光通過狹縫會繞射
所以看到最後一段就會覺得這在供啥小

結論:文組洗洗睡啦


※ 引述《esolve (nobbb)》之銘言:
: 中國不是做光刻機
: 中國是做光刻工廠
: 做光刻機確實很難
: 因為荷蘭asml做光刻機有積累有專利,是多個國家高精尖技術的匯聚
: 但是荷蘭做的光刻機是為了賣
: 所以要做的小,做成產品
: 但是中國做光刻工廠不是為了賣,而是為了造芯片
: 所以不需要做小,不需要那麼多高精尖配件
: 這就是另闢蹊徑
: 比如說
: asml光刻需要的光源要做到精確的3nm
: 那確實很難
: 但是中國光刻工廠就不做精確光源
: 而是做精確的篩子
: 3nm 7nm 14nm的篩子
: 用同步輻射光源打出各種光
: 刻3nm芯片的部分放上3nm篩子
: 刻7nm芯片的部分放7nm篩子
: 這樣一次發射,同時刻不同芯片

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esolve 09/15 11:00最後一段只是類比舉例,降低理解門檻,太

esolve 09/15 11:00複雜的東西難懂而且大家不想看

esolve 09/15 11:01就是用來說明一個功能如果一種思路實現不

esolve 09/15 11:02了,就換另一種思路去實現

VVizZ 09/15 11:03篩完功率就不夠了然後加強功率的話篩子先爛

VVizZ 09/15 11:04連文組的都感覺你這說法問題很大

VVizZ 09/15 11:04你篩子的材料反射率太強連發射源都一起燒掉

roseritter 09/15 11:07我想到一個絕妙的證明方法 但是這頁

roseritter 09/15 11:08太小 寫不下

oldchang1205 09/15 11:16主要還是卡在材料上 對岸的光學部

oldchang1205 09/15 11:16分其實很強 精度也不算是問題 但蝕

oldchang1205 09/15 11:16刻材料這個有點難搞

semind 09/15 11:30他們就是要拐笨蛋,然後控制大量笨蛋來耍

semind 09/15 11:30流氓,全中國就這模式。所以講真的,他們

semind 09/15 11:31不懂或不愛聽也沒用,要講他們懂得、愛聽

semind 09/15 11:31的才有用。真的直接放棄救笨蛋,不要被流

semind 09/15 11:31氓威脅最快。

ariadne 09/15 11:47想知道他要怎麼跑模擬驗證跟要跑多久…

tenka92417 09/15 14:25清華大學有相關的論文耶,你哪位?

good5755 09/15 15:15很多實驗室理論是無法大規模量產

good5755 09/15 15:16精度可能30%良率1%實驗室做得出來

good5755 09/15 15:17但真的大規模要量產幾萬幾億個沒辦法

tenka92417 09/15 15:47所以人家在北京科學城建廠驗證呀

tenka92417 09/15 15:56清華論文的重點其實不是要量產光刻機

smaxtor2002 09/16 14:40北京那個廠都否認了