[情報] 三星正式宣布量產GAA架構3奈米晶片
三星正式宣布量產GAA架構3奈米晶片
鉅亨網編譯羅昀玫2022/06/30 10:43
https://i.imgur.com/GKITPSs.png
三星電子週四 (30 日) 正式宣布量產 GAA 架構的 3 奈米製程,成為全球第一家量產 3奈米製程的晶圓代工廠商,但並未公布首發客戶名單。
三星最新聲明中指出,三星在 3 奈米製程節點中導入 GAA 架構,以突破 FinFET 架構性能限制,這個新世代製程通過降低電源電壓來提高功率效率,同時通過增加驅動電流能力來提高性能,能以更小的體積實現更好的功耗表現,以滿足各種客戶的需求。
https://i.imgur.com/cbkMiZQ.png
三星稱,GAA 的設計靈活性非常有利於設計技術協同優化 (DTCO),與 5 奈米製程工藝相比,第一代 3 奈米製程可將功耗降低 45%、性能提高 23%,晶片面積減少多達 16%,而第二代 3 奈米製程可降低高達 50% 的功耗,提高 30% 的性能和減少 35% 的面積。
三星電子總裁暨晶圓代工事業部負責人 Siyoung Choi 表示,三星在晶圓代工行業的首個高介電常數金屬閘極 (HKMG)、FinFET、EUV 等新一代技術應用一直保持著領先地位,公司尋求持續在全球首個 MBCFET™ 3 奈米製程方面的領導地位,將在競爭性技術開發方面積極創新,並建立有助於加速實現技術成熟的流程。
三星並未公布首發客戶名單,但市場傳出三星 3 奈米製程最初客戶有上海磐矽半導體 (PanSemi) 和高通 (QCOM-US) 等公司。
三星此前曾宣布將 GAA 技術應用於 3 奈米製程後,計劃明年把 GAA 技術導入第二代 3奈米晶片,並在 2025 年量產以 GAA 製程為基礎的 2 奈米晶片。
之前的新聞 #1YNSWSPT (PC_Shopping) 是寫良率不到20%,
只用來生產內部使用之晶片,不知道最後高通到底會不會用。
--
彎道超車again
到底是彎道超車還是翻車 讓我們繼續看下去
小心超太快超出線外
小心填海
大概又是生產dram吧
台積電股票買爆!
吃西瓜囉
人家舊製成可以達到3奈米,你卻要用gaa才能達到
第一代跟第二代差那麼多 看來又是把製程門檻放很低
彎道超車我不信 玩到超熱 我信
*第一代3奈米 對 第二代3奈米
彎道超車了幾次還在下水道打滾,加油點好嗎南朝鮮
先看首發有誰,才能知道超車還是翻車
三星的三奈米密度頂多摸到台gg的五奈米,但是良率可差遠
了
DT端不會去用3GAE,看明年的3GAP
良率多少?XD
坑高通陪練功嘛XD
水溝蓋超車 結果卡在水溝
上次不是報導說 ***5nm良率只有GG的一半 這次我猜1/3
高通快下單
*** 4nm良率才35% 讚
良率呢???
我OK,你先下單
三星 哈哈哈
什麼20%...我大***技能點都點吹牛的...技能一放就可以到
200%了...還不趕快下單...
彎道超車 但沒有客戶敢下單
加油啊三星
韓國又要被台灣輾爆了
製程看看就好,都在偷晶體密度。顆顆
所以良率多少?
150MTr/mm^2都不到的3nm,真的是太有趣了。
水溝蓋超車法~讓我們拭目以待
digitimes的垃圾能不能別再丟了,牙膏7ff 180MTr/m
m^2是哪來的?
7ff沒hd library,7ff+ hd也不是180
n7和n5的數據也是錯得離譜
不然數據是多少? 樓上快出教育大眾 看你好像很了解
不要來放個砲 就消失了 謝謝
哄堂大笑
5n只有138m,跟***差不多,如果digitimes圖是對的
你三星的三奈米密度是多少說來聽聽
堪比intel第一代10奈米
效能鳥到後來自動無視
網上一堆可靠的資料不去看去看digitimes這種八卦級
別的,手斷了連google都不會就去看醫生,沒人要為
你代勞。
更何況以前板上早就有人丟過官方ppt了,手殘就算了
,連海馬體也殘障了?
笑了 官方PPT 你好棒棒
我ok你先用。
三星產品說的跟做的有差多是不知道嗎?產品出來就知道
還在官方PPT 是不知道三星的尿性嗎
三星上一次喊很大聲是七奈米的時候嗎
良率跟傳的一樣 確定燒得起?
i皇的7FF HP大概140MTr/mm^2,看來贏過GG不少
算一下,GG的n3 HP頂多130MTr/mm^2左右
官..官方PPT,我以為那是用來唬爛的
國文爛成那鳥樣就滾回去國小,三爽的製程叫7ff? n7
也是三爽的製程?誰在跟你說三爽的官方ppt。
cell height和cpp都有不會自己去算?
如果三星沒有唬爛,那3GAP HP的電晶體密度有到118MTr/
mm^2,其實不差了
良率可以拉起來的話,老黃和蘇媽肯定會想試單看看
沒有如果
牙膏7ff hp沒140MTr/mm^2那麼高,按ppt的數據去算
只有122MTr/mm^2。以前對外宣稱10ff uhp是67MTr/mm
^2,但這是指54 cpp下的,GLC的cpp是60,408 ch配6
0 cpp的理論值只有60MTr/mm^2。408 ch/60cpp叫ehp
更合理,7ff hp實際上是408ch/60cpp的後繼,只看名
字還以為是340 ch/54 cpp的10ff hp的後繼者。
三星:這裡有一批好便宜的晶片
比GG6奈米還差的東西 自己收好
個人的確按10FF HP和IEDM2021公佈的來算,如果是UHP,
那就沒那麼高了,感謝L大指正
彎道翻車是你***
老黃:Lisa 這裡有批很便宜的晶片 要不要去試試 GG太貴了啦
先猜彎道燒車
先做個8gen1++來看看功耗差多少再說
先買張台積電壓壓驚
高通又要搶先當白老鼠了嗎 XD
72
[情報] 三星 5nm 製程疑竄改良率瞞客戶,內部甚三星 5nm 製程疑竄改良率瞞客戶,內部甚至挪用公款 去年以來,高通選擇將 Snapdragon 888 與 Snapdragon 8 Gen 1 交給三星生產,不過三 星的糟糕表現引起了高通的不滿,甚至轉投台積電。不過,三星高層立刻對自家集團展開 調查,其中發現有三星高層捏造了 4nm 與 5nm 製程的良率,甚至靠捏造的資料來挪用集46
[情報] Intel第14代處理器生產可能由台積電通包Digitimes 英特爾Meteor Lake藍圖傳修正 台積電5奈米家族有機會通包? 陳玉娟/新竹 2022-05-0432
[情報] 三星 3 奈米當前良率最高僅 20%,未來若三星 3 奈米當前良率最高僅 20%,未來若無提升將難爭取高通訂單 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 04 月 18 日 17:30 根據外媒報導,南韓三星的晶圓代工部門先前展示了其在 3 奈米節點 GAA 技術上的進展,而現階段的良率僅維持在 10%~20% 之間。這數字相較於贏得行動處理器大高通的 Snapdragon 8 Gen 1 行動處理器訂單的 4 奈米製程,雖然 4 奈米有較高的 35% 良率。但是較台積電 4 奈米製程的良率達到 70% 的情況,這依然是一個糟糕的數字。 外媒《wccftech》報導,就是因為三星晶圓代工部門在 4 奈米製程的良率上僅達到 35% 的比例,這才使得高通不得不痛下決心,將 Snapdragon 8 Gen 1 及 Snapdragon 8 Gen 1+ 兩款旗艦型處理器的代工訂單,緊急由三星抽單轉交給台積電來進行代工生產。至於,三星即將要量產的 3 奈米製程,則是預計未來在沒有大幅度提升良率的情況下,即便要付出較高的生產成本,則高通方面依然會將下一代的旗艦型行動處理器 Snapdragon 8 Gen 2 交給台積電代工,而不是交給三星。 報導引用消息人士的說法指出,三星的 3 奈米製程現階段被用於生產公司內部自己的晶圓,可能是用以生產 Exynos 系列行動處理器。因為先前就有消息表示,三星正在為自家未來的 Galaxy 系列智慧型手機開發全新的 Exynos 行動處理器,只是當時並不確定這些產品是否會利用 GAA 技術的 3 奈米製程來打造。21
[問卦] 三星3奈米今天量產 超車台積電?聽說今天已經開始3奈米量產 已經有客戶下單了 都已經賣出去了良率應該不會多差 台積現在3奈米進度到那了? 已經被超車了嗎?!21
[討論] 聯電到現在14/12奈米營收仍為零?節錄 t.ly/nrbY IC設計大客戶緊相依 催促聯電重啟14奈米生產 "聯電2017年宣布退出10奈米以下戰場,製程技術止步在14/12奈米世代,到現在14/12奈米 營收仍為零,不過隨著近年多家客戶瘋狂下單28/22奈米與繳交鉅額預付款包產能,對其22
Re: [新聞] 美日合作2奈米與小晶片技術,對台積電是IBM :2015 公佈7nm使用SiGe channel. tsmc 2017量產7nm,隔年7nm+ 使用EUV GF使用IBM技術,但2018 放棄7nm開發. 三星量產7nm 號稱使用EUV,結果良率比台積還差 接著 IBM : 2017 公佈5nm, tsmc 2020量產5nm 使用大量EUV及high-mobility channel 同年,三星號稱量產5nm, 實際被驗證假7nm, 且性能不如台積6nm. 公佈2021量產3nm GAA1X
Re: [新聞] 台積電穩了!死敵3奈米良率慘況曝光 難^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ : 三星4奈米製程雖然有35%良率,但是台積電4奈米製程的良率高達70% 這是利空吧 !! 先假設這新聞是真的 現在是 2022,台積電要 2025 才會開始做 GAA 也就是說三星 比台積電早 3 年做出 GAA 的產品,而且良率還有 10~20%9
Re: [新聞] 台積電穩了!死敵3奈米良率慘況曝光 難之前的文章: #1XNfeJ4t (Stock) 一開始還說 2021 做出 GAA 3nm 彎道超車 現在又開始吹 2025 彎道超車到 2nm 三星的翻車秀果然不會讓人失望 2019/03/15 #1SswWERG (Stock)6
Re: [新聞] 台積電穩了!死敵3奈米良率慘況曝光 難幫補一篇舊聞 2022/01 三星拚2奈米2025超車台積 業界卻爆這弱點 先進製程目前僅剩下台積電、英特爾以及三星電子競爭,三星更搶先在2022年上半年量產 3奈米製程GAA技術,台積電則是延用FinFET架構、在今年下半年量產3奈米製程,但業界5
[情報] 台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet 技術,與英特爾/三星競爭 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 06 月 09 日 11:00 | 分類 IC 設計 , 晶片 外媒《Extremetech》報導,晶圓製造的 FinFET 電晶體技術是自 2011 年以來開始使用,但隨著節點不斷縮小,FinFET 電晶體技術將被別的技術取代。台積電更新技術藍圖指出,準備好生產 2 奈米時,就會轉向奈米片 (Nanosheet) 晶體管技術,英特爾和三星也宣布類似計畫。 《EEtimes》報告討論台積電未來計畫,今年底開始 3 奈米量產,確認 3 奈米製程不會採用奈米片技術。奈米片是種環繞柵極 (GAA) 晶體管,有浮動晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布 RibbonFET 計畫,技術就類似奈米片。台積電預計 2 奈米奈米片量產 2025 年開始,但英特爾藍圖是 RibbonFET 於 2024 年第三季亮相。三星已在 3 奈米製程轉向奈米線 (Nanowire) 製程,並宣布上半年量產。 比較台積電和英特爾量產時程,據經驗「量產」定義略有不同。英特爾產品上零售市場前,較短時間就宣布量產。台積電是向客戶銷售產品,客戶自行整合,因此台積電宣布量產到商用化產品出現需較長時間。
59
[情報] AMD確認Radeon GPU銷量大幅下滑19
[心得] 技嘉維修客服 真的服了 完全不知道再幹嘛14
Re: [情報] 欣亞一日店長活動8
[情報] 順發美光crucial X6 1T SSD特價15
[情報] Razer Zephyr電競口罩誇大宣傳,遭美FTC6
[開箱] 實現 M.2 擴充自由,華擎 Z790 Nova WiFi4
[心得] 反推酷媽導熱片0.5mm (Thermal Pad)4
[菜單] 50K遊戲機6
[請益] 32吋螢幕挑選3
[菜單] 25K 輕遊戲機1
[菜單] 22k 影音手遊1
[菜單] 50k股票數據分析遊戲電腦