Re: [新聞] 三星放話超車台積電 3 奈米,成功機會渺
曾是自然淘汰組小志工拋磚引玉一下。
白話科普一下晶圓代工製程優劣,
或許不一定正確,歡迎大家指教。
先下結論:
3奈米以上製程,三爽不可能追上。
我連立旗都懶得立旗,
因為不可能就是不可能。XD
2奈米的物理之壁才是關鍵節點。
科普知識時間:
目前電晶體製程三大熱門技術
1finfet
2gaa
3mbcfet
如果用不精確白話來說明電晶體製程,
就是
如何設計通道和閘門來控制電子流動。
這種工藝設計需要實驗試誤累積,
不是出現一個天才物理家提出公式,
就可以大躍進的。
1finfet架構
已經把人類可理解3d結構體現出來。
但當進入3奈米以下,
這是量子力學的領域,
說句玩笑話,
這領域是上帝擲骰子決定電子分布。
實務困擾就是閘門關不住電子的流動,
因為某些地方就是不會出現電子,
反之,某些地方神奇的發現電子現身。
造成所謂的漏電的不良影響。
因此,
gaa和mbcfet才因應而生,
利用多通道設計來克服閘門失效問題。
但問題又來了,
要如何讓多通道設計符合電子不連續分布。
這個就是技術力,
我懂的話我就去台gg當副理了。XD
但提出個人見解,不一定對。
對gaa和mbcfet提出評論,
我目前不看好gaa的工藝,
它採奈米線設計多通道,
還是受限於3d結構,
難設計出符合電子不連續分布的結構。
但成本和與現今製程設備比較可配合。
mbcfet
則是多加入一維結構的4d奈米片結構。
白話說,
就是電晶體不是方方正正堆疊結構,
可能是特別型態的堆疊結構。
但工藝技術簡直是挑戰上帝之手。XD
所以未來看到
台gg在找生物學家還是研究流型結構數學家,一點也不奇怪。
因為未來的對手不是三爽,
是上帝之手。XD
科普到此,
補個股點,
台gg三奈米以上沒有對手啦!
買三奈米以上的台gg,
不只是信仰台gg,更是信仰科學。XD
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我走來始終如一,小志工下台一鞠躬。
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神之領域,自在GG功
以前也聽說6奈米是極限 結果
幾奈米不代表實際奈米 閣下忽略這點XD
不是看電晶體的數字嗎
不是L嗎?Gate的長度啊
你484想去應徵分析師@@
cc
很有可能台積電的2奈米 沒有辦法如期的推出 也不見
得有必要
讓那個傻逼三星去先跳這一個火坑
求老高講一集這個吧XD
3樓說的對,我講的應該是實際奈米。
所以明年3D封裝開始爆發
6樓c大,我是算半個公務員。XD分析股票是樂趣呀!分
析師不在我的人生選項。XD
老實講了這個世界上沒有不可能只有要不要一時稱王
未必一輩子都稱王懂嘛!
你確定老高真的有辦法講這個
估狗笑而不語
老高光講基礎知識就錯誤百出了
16樓L大,所以我只敢說“3奈米前”。XD科學本來就是
可以提反證突破的學問。
對了,補充一點,我指的是奈米縮影推進世代的路程進
展,不是良率優化進展。
能不能突破1奈米 不然技術鼎天就怕後追的都能慢慢
跟上
有時後科技的進步,往往來的很突然,gg放眼1nm,應
該是找到突破奇異點的方法了
我認為要突破奇異點,應該跟電子自旋量有關,目前在
量子電腦領域很夯的議題。
你哪一位? 你說不可能就不可能?
雖然機率低啦,但龍頭被超越在現實中已出現很多次了
推回
老高最愛講一些沒根據的東西了,粉絲別鬧了吧
以前0.11時後,老前輩就說黃光極限到這了......
已經無腦歐印,感謝信心加持
4d的第四個D是時間?
樓上。第四軸度,不是習慣的三維正交系統。
我覺得你是真的不懂……
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