[情報] AMD 說明 3D 封裝技術，將改變晶片設計概念
AMD 說明 3D 封裝技術，將改變晶片設計概念
作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 08 月 23 日 18:00
8 月 22~24 日舉行的 Hot Chips 33 半導體產業線上會議，處理器大廠 AMD 說明 3D 堆疊技術發展方向，分享旗下 3D V-Cache 的細節。AMD 表示，封裝選擇和晶片架構將決定產品性能、功率、面積和成本，AMD 稱為 PPAC。如果將發表和即將推出的產品納入，AMD有多達 14 種小晶片設計封裝架構正在進行。
外媒報導，AMD 負責封裝技術發展的高級研究員 Raja Swaminathan 表示，並非每個解決方案都適合所有產品。即使未來模組化設計和協調封裝架構已是業界共識，且各廠商展示的解決方案都證明這點。因成本問題，並非所有方案都適合消費市場。如裝有 3D 垂直暫存（3D V-Cache）技術的 Zen 3 架構桌上型處理器，要有 12 核心以上或 16 核心，並提供 L3 暫存記憶體的處理器才適用。
https://i.imgur.com/udpgnDP.jpg
6 月 AMD 就介紹過 3D 垂直暫存技術是採用台積電 SoIC 技術。隨著矽通孔（TSV）增加，未來 AMD 會專注更複雜的 3D 堆疊技術，如核心堆疊核心、IP 堆疊 IP 等項目，最終矽通孔間距會非常緊密，以至於模組拆分、摺疊，甚至電路拆分都成為可能，徹底改變目前對處理器的認知。
https://i.imgur.com/Ss5fvHY.jpg
https://technews.tw/2021/08/23/amd-explains-3d-packaging-technology/
要多少核心就用多少膠水黏上去的概念?
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作者 mindstack31 (mindmind) 看板 PC_Shopping 標題 Re: [情報] AMD Threadripper NDA解禁 時間 Thu Aug 10 21:33:16 2017 ───────────────────────────────────────
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這裡也有一個Raja
好像很厲害的樣子捏
快出新品啊
之前看 是說要雙Die的Zen3才會有
3D膠水大法
之前看傳聞會有10C 雙Die的產品
不過6C或8C產品 可能就無緣提昇？
這樣6C和8C部份 只能提高時脈來對打
12代的產品？ 這樣要硬扛一年
用3D V-Cache的Zen3 表現能提高15%
10C、12C、16C 用3D V-Cache的Zen3
這樣應該是能對打12代桌面
那麼......什麼時候才要開賣呢？
15%好像是遊戲平均偵數提升
散熱將是個問題
大面積的die，用3D封裝的散熱面積比
較大，所以比較適合
散熱不是說反而會更好？
之前的說明遊戲性能平均提高15%
不過L3加大的好處是顯而易見的
疊這東西是因為GG才能疊
i皇也有EMIB，不過是GNR才會當主力
AMD YES啦
遊戲有15%又要換換病了
3dic大家都有在做拉 不過GG技術應
該領先不少就是了
EMIB是2.5D不太一樣的東西 牙膏自己
的3DIC是Foveros
意思是給更多的錢才能擁有
他的15%，該不會都是1080p下吧，對
於4k玩家幫助應該不大吧？
GG怕熱可以內卷3d散熱管
還不是靠GG… x86下個戰場在封裝
晶片拋光就是要削薄散熱 現在要加厚
落伍的腳針設計
還有內部明顯積熱的問題 到底是AMD
設計瑕疵還是台積電7nm的鍋啊
5800xt熱身中
l3 96mb
這東西算GG的還是算AMD的阿
GG的ip
積熱問題要硬說誰的鍋的話，蘇媽的
成份比較大
哪有加厚 3dic會磨薄疊起來厚度差
不多
微縮閘極寬度後，漏電流就會增加，
這時要靠更好的後段製程減少漏電流
，這要$$
還有晶片設計方面，只依靠前人ip的
線路而沒調整沉贅線路使得內部線路
效率下降，各線路彼此的干擾增加，
或是沒採用更新的EDA tool
gg負責疊和提供design rule, AMD
跑模擬
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