[情報] Intel 4製程技術效能提升 2025 重回領先
https://i.imgur.com/6CxbWYq.jpg
Intel 於年度 VLSI 國際研討會，公布 Intel 4 製程的技術細節。相較於上一代 Intel7
Intel 4 於相同功耗下能夠提升 20％ 以上的效能，高效能元件庫（library cell）的密度則是 2 倍
同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括 PC 客戶端的 Meteor Lake
並推進先進技術和製程模組，帶領英特爾 2025 年重回製程領先地位。
ntel 4 於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critical Dimension）
持續朝向微縮的方向前行，並同時導入設計技術偕同最佳化，縮小單一元件的尺寸
透過 FinFET 材料與結構上的改良提升效能，Intel 4 單一 N 型半導體或是 P 型半導體其鰭片數量從 Intel 7 高效能元件庫的 4 片降低至 3 片。綜合上述技術
使得 Intel 4 能夠大幅增加邏輯元件密度，並縮減路徑延遲和降低功耗。
Intel 7 已導入自對準四重成像技術（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP
和主動元件閘極上接點（Contact Over Active Gate、COAG）技術來提升邏輯密度
前者透過單次微影和兩次沉積、蝕刻步驟，將晶圓上的微影圖案縮小 4 倍
且沒有多次微影層疊對準的問題；後者則是將閘極接點直接設在閘極上方
而非傳統設在閘極的一側，進而提升元件密度
Intel 4 更進一步加入網格布線方案（gridded layout scheme）
簡單化並規律化電路布線，提升效能同時並改善生產良率。
隨著製程微縮，電晶體上方的金屬導線、接點也隨之縮小；導線的電阻和線路直徑呈現反比
該如何維持導線效能抑是需要克服的壁壘。Intel 4 採用新的金屬配方稱之為強化銅
（Enhanced Cu），使用銅做為導線、接點的主體，取代 Intel 7 所使用的鈷
外層再使用鈷、鉭包覆；此配方兼具銅的低電阻特性，並降低自由電子移動時撞擊原子使其移
進而讓電路失效的電遷移（electromigration）現象，為 Intel 3 和未來的製程打下基礎。
光罩圖案成像至晶圓上的最重要改變，可能是在於廣泛的使用 EUV 來簡化製程
英特爾不僅在現有良好解決方案中的最關鍵層使用 EUV
而且在 Intel 4 的較高互連層中使用 EUV
以大幅度減少光罩數量和製程步驟。其降低製程的複雜性
亦同步替未來製程節點建立技術領先地位及設備產能
Intel 將在這些製程更廣泛地使用 EUV
更將導入全球第一款量產型高數值孔徑（High-NA）EUV 系統。
來源 https://www.cna.com.tw/news/afe/202207040280.aspx
XF編譯 https://www.xfastest.com/thread-263928-1-1.html
真正的重返榮耀
--
贏麻
良率
2025 用上4nm 看起來還好
Intel 4 不是 7nm嗎？
歡迎來到2022
是7nm沒有錯
中央社也不懂這塊，別在意
台GG的4奈米也不是真正的4奈米啊 都馬自己喊的
大眾只需要知道intel4跟台GG的4奈米密度差不多就行了
2025要升上4 nanoribbon倒是很拚
現在才2022耶
intel 4 = 7nm 應該跟台積5nm差不多吧
amd靠台積應該還能穩一陣子
2025 台GG走的更遠了，INTEL GG
重點是密度 nm喊再低有屁用
2025是18A吧
18A沒那麼久，24H1是20A這樣ARL才趕得上，H2就要上1
8A了，高通的NUVIA要用，
未來就7FF和20A自己用，改良版的7FF+和18A拿來代工
良率是OK了，只是產能不足
笑了 2024能20A? I皇的尿性有目共睹
又要炒股價了
Zen4出了還會威一陣子，5奈米是成熟製程
4 3看來還好 ,4的14代都在測試了，20A這個就要趕進度了
抓到新的外星人了嗎
牙膏的2025是發表不是產品上市
先吹先贏 跟***一樣廢 可憐
良率呢？
變成ppt公司了 幫QQ
講得好像台GG都不會進步一樣
上次喊重返農藥的.....
一定要吹阿，晶片開發都要2～3年
之前有新聞就說三星的3nm還不是完整版的，但還是要推出
不然訂單都直接下到台積那邊了
2022先幫2025要吹的內容吹一下 吹吹
i皇或成最大贏家
跟上時代而已吧
回到未來
Intel4=台積4nm. 大概。但是台積都量產4nm了。intel要到2025
？
這家沒有信用可言
笑死 吹到三年後去 三年之後又三年
今年GG不就量產3nm了 2025是幾nm
好哦
2025啊 2001太空漫遊
不過市場需求放緩 又救了一次
牙膏還有料ㄇ
99TSM
還在吹 不過信徒還是繼續相信2025一定贏
最好笑的是有些人好像內部員工一樣 良率OK了 產能不行都
知道 想不到intel居然有熟悉內情的中高階主管來上PTT呢
我想這篇不是說Intel 4到2025年才會出
沒差啦，amd有台積的製程就好了，不然他要用GF的嗎XD？再
怎樣Intel 也不可能把製程給amd用啊。
互打才好，這樣消費者才能撿到便宜
推特有人說GNR 22Q2才tape-out, 本版也有人說GNR客
戶很滿意, 消息好亂啊
一種奈米各自表述，就是現在最流行的一奈各表
ICl-SP 20Q4就出貨了，怎麼變成22Q2?
舊版GNR都被砍了，新版的GNR怎麼22Q2 tape-out?
我看看,今天是2022.7.4
2022.7.5
10nm現在一堆人都覺得真香了
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[情報] 台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet 技術，與英特爾／三星競爭 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 06 月 09 日 11:00 | 分類 IC 設計 , 晶片 外媒《Extremetech》報導，晶圓製造的 FinFET 電晶體技術是自 2011 年以來開始使用，但隨著節點不斷縮小，FinFET 電晶體技術將被別的技術取代。台積電更新技術藍圖指出，準備好生產 2 奈米時，就會轉向奈米片 (Nanosheet) 晶體管技術，英特爾和三星也宣布類似計畫。 《EEtimes》報告討論台積電未來計畫，今年底開始 3 奈米量產，確認 3 奈米製程不會採用奈米片技術。奈米片是種環繞柵極 (GAA) 晶體管，有浮動晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布 RibbonFET 計畫，技術就類似奈米片。台積電預計 2 奈米奈米片量產 2025 年開始，但英特爾藍圖是 RibbonFET 於 2024 年第三季亮相。三星已在 3 奈米製程轉向奈米線 (Nanowire) 製程，並宣布上半年量產。 比較台積電和英特爾量產時程，據經驗「量產」定義略有不同。英特爾產品上零售市場前，較短時間就宣布量產。台積電是向客戶銷售產品，客戶自行整合，因此台積電宣布量產到商用化產品出現需較長時間。![[情報] 台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet](https://img.technews.tw/wp-content/uploads/2022/03/10140928/TSMC-%E5%8D%97%E7%A7%91-e1646892576318.jpg "[情報] 台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet")
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