Re: [新聞] 追趕台積電 中芯低調出貨7奈米晶片 搶當
這個7nm 大概會落在TSMC 10nm和7nm
大約2017年左右的技術
大概不夠成熟所以先用在非標準產品上
然後再慢慢磨良率
7nm DUV 絕對做得出來
只是要用SALELE Quadruple patterning
上一個這麼做的公司製程delay了五年
良率瓶頸在蝕刻而不是在微影
不用EUV是量產不出來sub 7nm以下的製程
與其來討論SMIC會不會搶台積或聯電的市場
不如來賭Samsung 的GAA會不會有外部產品使用
假如成功那台積就會受到很大的壓力
GAA帶來的效益跟當初第一次使用FinFET是差不多的
--
突然又被認同的DUV真的很開心呢~
這有什麼好吵的嗎?這不跟台灣死撐高端的理由一樣
問個問題 GG的n7要開始是用193做出來的吧 我實在搞
不懂大家一直在那邊說DUV怎樣怎樣的
說是國安問題也不為過啊,就是做來自己用的吧
台灣背骨仔還不是一堆人拍手叫好
中芯 7nm如果有良率的話 會抖的是三星
三星代工客戶剩沒多少 又出一個中芯追上來
只剩三星手機會下單給三星晶圓廠
多一個競爭對手出來,台積電也會稍微受到影響,畢竟
用到先進製程的還是少數,如果有便宜的選擇,廠商也
是會轉向,不然高通之前幹嘛投單給三星代工
台積電技術沒問題,但聯電跟力積電,可能更容易受到
中國半導體的影響層面更大
三星GAA有單啊 礦機
至於DUV...193和193i都算成DUV 反正知道在說啥就好
重點是要觀察未來會不會連193i機器都禁止輸中國...
我覺得ASML財報上的回答有點微妙 話中有話
美國就是要打壓中國半導體發展啊,只是最終結果是怎
樣就看看了
只要美國成功禁了193i,那中芯就不會有足夠產能去做
多重曝光,威脅直接解除
GG用SADP的7nm,良率不太行,用SAQP,良率肯定更爛
晶片法案在表決的時候出這東西
重點跟本不在技術細節惹
其實那東西2020 SMIC就risk了 2022H1才看到礦機產品
嗯...聯電一整個被遺忘
我只想知道這7nm出貨是不是真的,是真的就是先殺爆2
/3線代工廠再說
站在巨人的肩膀,有一狗票熟門熟路的供應商設備商
加上挖來的工程師,要弄出一個低良率的是可預期,
就看磨到哪一年才有正毛利囉.
聯電跟力積電影響比較大吧!
二哥跟假台積又沒有7奈米的客戶要影響什麼啦
三星二奈米、中芯七奈米,台積電要GG了
年初捧台灣半導體,年中打壓台灣半導體,半導體景
氣風向被記者寫的比較像小說不像新聞
中芯成熟製程還是拼不過聯電 走路都走不好還想飛
美國關說公司的水滿深的吧 呵呵
一堆人放錯重點,這還不是中芯自己爆出來了,如果真
的能量產 中芯絕對是第一時間廣宣大眾的
以中國企業一貫好大喜功的模樣 能量產7nm的 會在那
低調?
低調才不會見光死
中國人又不是笨蛋
見光死啥 怎麼樣都一定會被制裁啊
晶片法案下週要表決啦 自己想吧
不可能 SMIC那個7很明顯根本沒有良率
有的話公司早就吹上天了 加上沒有EUV的7製程繁瑣複
雜 在米國阿爸禁那麼多東西的情況下 實在不太能想
像可以量產化
如果憑16/14的DUV技術就可以拚出7 二哥和女友早就
拼出來了 哪輪得到SMIC 況且還有專利護城河要打...S
MIC實在沒有明著硬幹的有利條件...
ic design追上來才恐怖
現在很明顯中芯就是刻意低調啊 高調根本沒好處
賣礦機而已有什麼用…
中芯等著被告吧,做出的東西也賣不出去,只能靠黨在
自己家裡賣
你以為制裁一步到位喔
按到噓
DUV本堅哥一直覺的可以做得下去 但最後成本問題
偏偏ASML的EUV一代比一代貴+耗能XDD
不能量產說個毛?
三星有記憶體和面板賺的錢來燒,中芯有錢可以燒嗎?
靠黨幫忙?
良率有4%嗎?
中芯有黨啊,這個才是無價,怎麼燒都行
黨敢燒多少錢?台積三年要花1000億鎂,人家博士等
級還敢燒大錢,中國真的要賭這局?
中國外匯有上萬億...一千億說的好像很多
只要做得出來哪怕良率只有10%,甚至3%也是行的~
那對中國有著完全不同的意義,有跟沒有之間的差別~
講白一點在商業上對台GG毫無威脅性 DUV搞七奈米的
良率問題讓他不會在商業上構成威脅 但重點是突破美
國的半導體圍堵
簡單的說就是在國防層面上搞大成本低良率來土法煉
鋼突破而已 該擔心的反而是美國
果然21世紀是中國人的世紀!
三%誰要用
解放軍
所以大陸晶片發展到此為止
新聞都出來了還低調 真的笑死
就意義面大於實質面,但代表照抄有成
說到此為止還早,美國要成功禁止ASML和nikon才能讓
西台灣打出GG
中國能搞的話部會只有自用 俄國 北韓 伊朗都有機會
盤子夠多 大家一起攤
中芯財報不就說賺很多錢了@@
如果良率3%其實軍用的還要再篩一次....其實花大錢該
是去搞最新科技 沒道理這樣搞還會大贏@@
對他們而言 沒輸到底就算贏
他們幹出七奈米的話是威脅到整個想吃中國市場的公
司,還有政治問題,問題沒這麼單純
兩岸一家親,21世紀是中國人的世紀!
18
用一個簡單邏輯去看10年後的未來 大型工業 軍事 晶片 外交 都是重資本 燒錢的產業 在經濟泡沫化 人口結構開始向下 經濟問題瀕臨爆破只能一拖再拖的情況下47
這其實源至於美國晶片法案. 除了EUV本來就禁對中國出口外. DUV本來也是突然對中國禁止出口. 中國的DUV本來主要跟荷蘭買其次是日本. 美國晶片法案當中,只要用到美國技術,美國都可以干涉.2X
其實對岸投入不是新聞 關鍵是到底有沒有可能會成功? 根據常識,國家人口跟市場決定他的產能 超級產業不可能在一國之內完成 蘇聯解體後人口剩1億7千萬,就做不出航母了18
機台有上千個零組件 全中國產的機率為0 美國擔心的不是中國技術趕抄 是擔心中國利用成本優勢 讓世界對中國形成依賴 中國的強項是人耐操 運營有效率13
假新聞也能自嗨? 看到7奈米標題就跳過啦 中國整體半導體技術落後台灣應該有20年以上 有空去問問艾司摩爾以前有到中芯裝機的那些人 對中芯內部的看法就知道大陸有沒有機會搞半導體啦
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Re: [新聞] 傳中芯國際悄悄出貨 7 奈米晶片,還將原文 縮: 作者: Paul Alcorn 認真講… 完全沒想到他會被當文組記者37
[情報] 三星正式宣布量產GAA架構3奈米晶片三星正式宣布量產GAA架構3奈米晶片 鉅亨網編譯羅昀玫2022/06/30 10:43 三星正式宣布量產GAA架構3奈米晶片 (圖片:三星) 三星電子週四 (30 日) 正式宣布量產 GAA 架構的 3 奈米製程,成為全球第一家量產 332
[情報] 三星 3 奈米當前良率最高僅 20%,未來若三星 3 奈米當前良率最高僅 20%,未來若無提升將難爭取高通訂單 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 04 月 18 日 17:30 根據外媒報導,南韓三星的晶圓代工部門先前展示了其在 3 奈米節點 GAA 技術上的進展,而現階段的良率僅維持在 10%~20% 之間。這數字相較於贏得行動處理器大高通的 Snapdragon 8 Gen 1 行動處理器訂單的 4 奈米製程,雖然 4 奈米有較高的 35% 良率。但是較台積電 4 奈米製程的良率達到 70% 的情況,這依然是一個糟糕的數字。 外媒《wccftech》報導,就是因為三星晶圓代工部門在 4 奈米製程的良率上僅達到 35% 的比例,這才使得高通不得不痛下決心,將 Snapdragon 8 Gen 1 及 Snapdragon 8 Gen 1+ 兩款旗艦型處理器的代工訂單,緊急由三星抽單轉交給台積電來進行代工生產。至於,三星即將要量產的 3 奈米製程,則是預計未來在沒有大幅度提升良率的情況下,即便要付出較高的生產成本,則高通方面依然會將下一代的旗艦型行動處理器 Snapdragon 8 Gen 2 交給台積電代工,而不是交給三星。 報導引用消息人士的說法指出,三星的 3 奈米製程現階段被用於生產公司內部自己的晶圓,可能是用以生產 Exynos 系列行動處理器。因為先前就有消息表示,三星正在為自家未來的 Galaxy 系列智慧型手機開發全新的 Exynos 行動處理器,只是當時並不確定這些產品是否會利用 GAA 技術的 3 奈米製程來打造。22
Re: [新聞] 美日合作2奈米與小晶片技術,對台積電是IBM :2015 公佈7nm使用SiGe channel. tsmc 2017量產7nm,隔年7nm+ 使用EUV GF使用IBM技術,但2018 放棄7nm開發. 三星量產7nm 號稱使用EUV,結果良率比台積還差 接著 IBM : 2017 公佈5nm, tsmc 2020量產5nm 使用大量EUV及high-mobility channel 同年,三星號稱量產5nm, 實際被驗證假7nm, 且性能不如台積6nm. 公佈2021量產3nm GAA13
[討論] 柯粉是不是認為做出7nm就大敗TSMC了?柯韓粉知道一堆晶圓廠都有辦法做出7nm嗎 但能不能賺錢是另一件事情 沒有一定的商業規模 成本是很高的,沒什麼人幫你攤 不過中國,韭菜多,沒差10
[討論] 據說中芯國際做出7nm 的晶片不過我猜良率應該很低,應該是曝光比較多次做出來的。 中芯14nm 良率都不好。 7nm 一定更差。 而且據說也不是真正的7nm 如果真的抄襲台積電的技術6
Re: [新聞] 台積電穩了!死敵3奈米良率慘況曝光 難幫補一篇舊聞 2022/01 三星拚2奈米2025超車台積 業界卻爆這弱點 先進製程目前僅剩下台積電、英特爾以及三星電子競爭,三星更搶先在2022年上半年量產 3奈米製程GAA技術,台積電則是延用FinFET架構、在今年下半年量產3奈米製程,但業界5
[情報] 台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet 技術,與英特爾/三星競爭 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 06 月 09 日 11:00 | 分類 IC 設計 , 晶片 外媒《Extremetech》報導,晶圓製造的 FinFET 電晶體技術是自 2011 年以來開始使用,但隨著節點不斷縮小,FinFET 電晶體技術將被別的技術取代。台積電更新技術藍圖指出,準備好生產 2 奈米時,就會轉向奈米片 (Nanosheet) 晶體管技術,英特爾和三星也宣布類似計畫。 《EEtimes》報告討論台積電未來計畫,今年底開始 3 奈米量產,確認 3 奈米製程不會採用奈米片技術。奈米片是種環繞柵極 (GAA) 晶體管,有浮動晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布 RibbonFET 計畫,技術就類似奈米片。台積電預計 2 奈米奈米片量產 2025 年開始,但英特爾藍圖是 RibbonFET 於 2024 年第三季亮相。三星已在 3 奈米製程轉向奈米線 (Nanowire) 製程,並宣布上半年量產。 比較台積電和英特爾量產時程,據經驗「量產」定義略有不同。英特爾產品上零售市場前,較短時間就宣布量產。台積電是向客戶銷售產品,客戶自行整合,因此台積電宣布量產到商用化產品出現需較長時間。
爆
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